Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления

1988, изд-во: Радио и связь, город: Москва, стр. : 496 с., обложка: Твердый издательский переплет, формат: Обычный, состояние: Очень хорошее (инвентарный библиотечный номер и штамп "ПОГАШЕНО" на титульном листе, инвентарный библиотечный номер и библиотечный штамп на странице 17, индекс библиотечно-библиографической классификации на задней обложке). Книга ведущих специалистов из многих стран охватывает широкий круг вопросов, отражающих современное состояние проектирования и технологии изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия, а также интегральных схем на их основе. Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием, изготовлением и применением полевых транзисторов, а также микроэлектронных СВЧ устройств