Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры
Под редакцией Л. Ченга и К. Плога

1989, изд-во: Издательство "Мир", город: Москва, стр. : 584 с., обложка: Твердый издательский переплет, формат: Обычный, состояние: Отличное. В коллективной монографии ведущих американских и западноевропейских ученых дано изложение физических и технологических аспектов проблемы создания полупроводниковых тонкопленочных структур - одиночных гетеропереходов, структур с квантовыми ямами и сверхрешеток (в том числе квантовых) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). В книге рассмотрены основные принципы МЛЭ, конкретные способы создания различных гетероструктур методом МЛЭ, электронные свойства гетероструктур, результаты по реализации приборов с гетеропереходами (гетеролазеров, фотоприемников и сверхбыстродействующих полевых транзисторов). Для специалистов в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники